島內(nèi)網(wǎng)絡(luò)論壇PTT上11日一則話題引起不少討論——有一名網(wǎng)民提問，“現(xiàn)在臺積電領(lǐng)先大陸幾年”。他稱，以前看到新聞?wù)f“不用怕，至少領(lǐng)先大陸20年”，然而前年說是5年，現(xiàn)在又說是3年，“不說超車，有沒有可能追上？”一時間，評論里給出各種回答。事實上，兩岸芯片技術(shù)差距有多大，一直是島內(nèi)關(guān)注的話題。
關(guān)于兩岸芯片技術(shù)發(fā)展的差距，島內(nèi)專家與媒體一直頗為關(guān)注。臺灣聯(lián)合新聞網(wǎng)去年6月援引紫光集團前高級副總裁、前日本爾必達社長坂本幸雄的話稱，大陸占世界半導體生產(chǎn)的比重為15%，但其中英特爾等外資企業(yè)占60%，中企的比重僅40%，而大陸半導體產(chǎn)業(yè)當前的要務(wù)是研發(fā)，但肩負半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展者主要出自臺灣。他認為，在DRAM領(lǐng)域處于大陸頂尖水平的長鑫存儲，與三星電子相比落后四代左右；在運算用邏輯芯片領(lǐng)域，頂尖的中芯國際最好的產(chǎn)品也只是14納米，這已是七八年前的技術(shù)，而臺積電正在開發(fā)2納米的產(chǎn)品。另據(jù)BusinessKorea報道，韓國進出口銀行旗下海外經(jīng)濟研究院（OERI）當時預估，大陸在DRAM和NAND閃存方面與韓國的技術(shù)落差分別達5年和2年。
今年5月，臺灣“中央社”提到，臺積電3納米芯片去年量產(chǎn)，2納米預計2025年量產(chǎn)，會領(lǐng)先全世界。臺灣中時電子報8月稱，除了荷蘭之外，日本和臺灣也面臨來自美國的要求，削減與大陸芯片貿(mào)易的壓力。而這樣的禁令將嚴重影響大陸供貨商，因為大陸光刻機產(chǎn)品與國外最好的光刻機之間存在十多年的差距。文章同時提到，上海微電子設(shè)備已經(jīng)完善28納米深紫外光刻機，預計于今年年底開始使用該技術(shù)生產(chǎn)芯片。華為還申請了極紫外光刻專利，該方法用于制造世界上最先進的芯片。
臺積電創(chuàng)辦人張忠謀認為，在芯片制造技術(shù)方面，大陸起碼落后臺灣5-6年。不過，臺“風傳媒”發(fā)表過一篇題為“臺灣半導體優(yōu)勢還能撐多久”的文章稱，相較于大陸與韓國政府不斷公開宣示扶植自家半導體廠商的決心，臺當局這幾年的半導體產(chǎn)業(yè)政策走的卻是“佛系”風格。在這種環(huán)境下，臺灣半導體業(yè)者還能否維持競爭力，業(yè)界早有警覺。臺灣《工商時報》10月10日報道稱，曾有學者表示，大陸半導體技術(shù)還要5到10年時間才能趕上海外對手，但近日華為推出的Mate 60 Pro旗艦手機內(nèi)含7納米制程的先進芯片，已令歐美更加不安。
